Память оперативная/ Kingston 8GB 2666MT/s DDR4 ECC Reg CL19 DIMM 1Rx8 Micron R Rambus

Технические данные

• Activate to Precharge Delay (tRAS) 32
• CAS Latency (CL) 19
• RAS to CAS Delay (tRCD) 19
• Row Precharge Delay (tRP) 19
• Количество модулей в комплекте 1
• Общий объем памяти 8
• Объем одного модуля 8
• Пропускная способность PC4-21300
• Тип памяти DDR4
• Форм-фактор памяти DIMM
• Частота 2666