Память оперативная/ Samsung DDR4 16GB UNB SODIMM 2666, 1.2V

Технические данные

• CAS Latency (CL) 19
• RAS to CAS Delay (tRCD) 19
• Row Precharge Delay (tRP) 19
• Количество модулей в комплекте 1
• Общий объем памяти 16
• Объем одного модуля 16
• Пропускная способность PC4-21300
• Тип памяти DDR4
• Форм-фактор SO-DIMM
• Частота 2666