Память оперативная/ Samsung DDR4 DIMM 16GB UNB 3200, 1.2V
1000738362
Небуферизованный модуль DIMM.Нет буфера или регистра: меньшее значение задержки.Поддерживает организацию x8/x16/до 2 рангов на конфигурацию DIMM и 2DPC.
Технические данные
- CAS Latency (CL) 22
- RAS to CAS Delay (tRCD) 22
- Row Precharge Delay (tRP) 22
- Количество модулей в комплекте 1
- Общий объем памяти 16
- Объем одного модуля 16
- Пропускная способность PC4-25600
- Тип памяти DDR4
- Форм-фактор памяти DIMM
- Частота 3200
Отзывы (0)
Подробнее...