Память оперативная/ Samsung DDR4 DIMM 32GB UNB 3200, 1.2V
1000615992
Технические данные
- Activate to Precharge Delay (tRAS) 45
- CAS Latency (CL) 22
- RAS to CAS Delay (tRCD) 22
- Row Precharge Delay (tRP) 22
- Количество модулей в комплекте 1
- Общий объем памяти 32
- Объем одного модуля 32
- Пропускная способность PC4-25600
- Тип памяти DDR4
- Форм-фактор памяти DIMM
- Частота 3200
Отзывы (0)
Подробнее...