WhatsApp, Telegram

Твердотельный накопитель Samsung SSD 9100 PRO, 4000GB, M.2(22x80mm), NVMe 2.0, PCIe 5.0 x4, V-NAND TLC, R/W 14800/13400MB/s, IOPs 2 200 000/2 600 000, TBW 2400, DWPD 0.3, with Heatsink (12 мес.)

45500126356
  • Твердотельный накопитель Samsung SSD 9100 PRO, 4000GB, M.2(22x80mm), NVMe 2.0, PCIe 5.0 x4, V-NAND TLC, R/W 14800/13400MB/s, IOPs 2 200 000/2 600 000, TBW 2400, DWPD 0.3, with Heatsink (12 мес.)
  • Твердотельный накопитель Samsung SSD 9100 PRO, 4000GB, M.2(22x80mm), NVMe 2.0, PCIe 5.0 x4, V-NAND TLC, R/W 14800/13400MB/s, IOPs 2 200 000/2 600 000, TBW 2400, DWPD 0.3, with Heatsink (12 мес.)
  • Твердотельный накопитель Samsung SSD 9100 PRO, 4000GB, M.2(22x80mm), NVMe 2.0, PCIe 5.0 x4, V-NAND TLC, R/W 14800/13400MB/s, IOPs 2 200 000/2 600 000, TBW 2400, DWPD 0.3, with Heatsink (12 мес.)
  • Твердотельный накопитель Samsung SSD 9100 PRO, 4000GB, M.2(22x80mm), NVMe 2.0, PCIe 5.0 x4, V-NAND TLC, R/W 14800/13400MB/s, IOPs 2 200 000/2 600 000, TBW 2400, DWPD 0.3, with Heatsink (12 мес.)
  • Твердотельный накопитель Samsung SSD 9100 PRO, 4000GB, M.2(22x80mm), NVMe 2.0, PCIe 5.0 x4, V-NAND TLC, R/W 14800/13400MB/s, IOPs 2 200 000/2 600 000, TBW 2400, DWPD 0.3, with Heatsink (12 мес.)
  • Твердотельный накопитель Samsung SSD 9100 PRO, 4000GB, M.2(22x80mm), NVMe 2.0, PCIe 5.0 x4, V-NAND TLC, R/W 14800/13400MB/s, IOPs 2 200 000/2 600 000, TBW 2400, DWPD 0.3, with Heatsink (12 мес.)
  • Твердотельный накопитель Samsung SSD 9100 PRO, 4000GB, M.2(22x80mm), NVMe 2.0, PCIe 5.0 x4, V-NAND TLC, R/W 14800/13400MB/s, IOPs 2 200 000/2 600 000, TBW 2400, DWPD 0.3, with Heatsink (12 мес.)
  • Твердотельный накопитель Samsung SSD 9100 PRO, 4000GB, M.2(22x80mm), NVMe 2.0, PCIe 5.0 x4, V-NAND TLC, R/W 14800/13400MB/s, IOPs 2 200 000/2 600 000, TBW 2400, DWPD 0.3, with Heatsink (12 мес.)
Samsung SSD 9100 PRO – это флагманский твердотельный накопитель формата M.2, созданный для требовательных задач, таких как профессиональный монтаж видео, 3D-рендеринг, обработка больших данных и высоконагруженные игры. С поддержкой PCIe 5.0 и NVMe 2.0 он обеспечивает рекордную скорость передачи данных, а встроенный радиатор гарантирует стабильную работу даже при интенсивных нагрузках. Невероятная скорость чтения и записи Благодаря интерфейсу PCIe 5.0 x4 и новой архитектуре NVMe 2.0 накопитель достигает скорости 14 800 МБ/с при чтении и 13 400 МБ/с при записи. Это в 2–3 раза быстрее, чем у PCIe 4.0 SSD, что ускоряет загрузку операционной системы, запуск тяжелых приложений и копирование больших файлов. Высокая производительность при работе с мелкими файлами Скорость случайного доступа (2 200 000 IOPS на чтение и 2 600 000 IOPS на запись) делает SSD 9100 PRO идеальным для серверов, баз данных и профессиональных рабочих станций, где важна мгновенная обработка тысяч операций в секунду. Надежность и долговечность С ресурсом записи 2400 TBW (терабайт) и показателем 0.3 DWPD (количество перезаписей всего объема в день) накопитель рассчитан на многолетнюю работу даже при активном использовании. Технология V-NAND TLC от Samsung обеспечивает оптимальный баланс между производительностью и сроком службы. Эффективное охлаждение благодаря радиатору Интегрированный алюминиевый радиатор предотвращает перегрев и троттлинг даже при длительных пиковых нагрузках. Это особенно важно для геймеров, видеоредакторов и инженеров, работающих с ресурсоемкими приложениями. Универсальный форм-фактор M.2 2280 Стандартный размер 22×80 мм позволяет установить SSD 9100 PRO в большинство современных материнских плат и ноутбуков с поддержкой PCIe 5.0, обеспечивая апгрейд системы без компромиссов.

Технические данные

  • DRAM буфер 1
  • TBW твердотельного накопителя 2400
  • Ёмкость накопителя 4000
  • Интерфейс PCIe 5.0 x4
  • Модель Samsung 9100 PRO
  • Назначение Клиентские ПК
  • Особенности расширенный температурный диапазон
  • Скорость последовательного чтения 14800
  • Скорость последовательной записи 13400
  • Среднее число операций произвольного чтения в секунду (4 КБайт, 2200000
  • Среднее число операций произвольной записи в секунду (4 КБайт, Q 2600000
  • Средняя наработка на отказ 1500000
  • Тип памяти V-NAND
  • Форм-фактор M.2 2280
В наличии на складе: 3 шт.
на Хабе: 3 шт.
58670.00р.
  • На складе
  • ean: 8806095811659
  • Код ТН ВЭД: 8471709800
  • Идентификатор товара: 45500126356
  • Код товара: MZ-VAP4T0CW
  • Артикул: 45500126356

Отзывы (0)

Оставить отзыв

Внимание: теги HTML не поддерживаются!
Captcha