WhatsApp, Telegram

Твердотельный накопитель/ Samsung SSD 990 PRO, 1000GB, M.2(22x80mm), NVMe 2.0, PCIe 4.0 x4, V-NAND TLC, R/W 7450/6900MB/s, IOPs 1 200 000/1 550 000, DRAM buffer 1024MB, TBW 600, DWPD 0.33, with Heatsink (12 мес.)

1000713783
  • Твердотельный накопитель/ Samsung SSD 990 PRO, 1000GB, M.2(22x80mm), NVMe 2.0, PCIe 4.0 x4, V-NAND TLC, R/W 7450/6900MB/s, IOPs 1 200 000/1 550 000, DRAM buffer 1024MB, TBW 600, DWPD 0.33, with Heatsink (12 мес.)
  • Твердотельный накопитель/ Samsung SSD 990 PRO, 1000GB, M.2(22x80mm), NVMe 2.0, PCIe 4.0 x4, V-NAND TLC, R/W 7450/6900MB/s, IOPs 1 200 000/1 550 000, DRAM buffer 1024MB, TBW 600, DWPD 0.33, with Heatsink (12 мес.)
  • Твердотельный накопитель/ Samsung SSD 990 PRO, 1000GB, M.2(22x80mm), NVMe 2.0, PCIe 4.0 x4, V-NAND TLC, R/W 7450/6900MB/s, IOPs 1 200 000/1 550 000, DRAM buffer 1024MB, TBW 600, DWPD 0.33, with Heatsink (12 мес.)
  • Твердотельный накопитель/ Samsung SSD 990 PRO, 1000GB, M.2(22x80mm), NVMe 2.0, PCIe 4.0 x4, V-NAND TLC, R/W 7450/6900MB/s, IOPs 1 200 000/1 550 000, DRAM buffer 1024MB, TBW 600, DWPD 0.33, with Heatsink (12 мес.)
  • Твердотельный накопитель/ Samsung SSD 990 PRO, 1000GB, M.2(22x80mm), NVMe 2.0, PCIe 4.0 x4, V-NAND TLC, R/W 7450/6900MB/s, IOPs 1 200 000/1 550 000, DRAM buffer 1024MB, TBW 600, DWPD 0.33, with Heatsink (12 мес.)
  • Твердотельный накопитель/ Samsung SSD 990 PRO, 1000GB, M.2(22x80mm), NVMe 2.0, PCIe 4.0 x4, V-NAND TLC, R/W 7450/6900MB/s, IOPs 1 200 000/1 550 000, DRAM buffer 1024MB, TBW 600, DWPD 0.33, with Heatsink (12 мес.)
Невероятная скорость, бесконечная победа. Лучший твердотельный накопитель.Достигните максимальной производительности PCIe® 4.0 . Испытайте более длительную, взрывную скорость противника. Интеллектуальный контроль температуры внутреннего контроллера обеспечивает высочайшую энергоэффективность, сохраняя при этом невероятную скорость и производительность, чтобы вы всегда были на вершине своей игры.Максимальная скорость PCIe 4.0.Огромный прирост скорости. Скорость произвольного чтения/записи на 40% и 55% выше, чем у 980 PRO - до 1400K/1550K IOPS, а скорость последовательного чтения/записи до 7450/6900 МБ/с почти достигает максимальной производительности PCIe® 4.0 . Поднимитесь на вершину в играх, редактировании видео и 3D, анализе данных и многом другом.Революционная энергоэффективность.Более энергоэффективная производительность. Более высокая производительность обычно потребляет больше энергии. Но 990 PRO потребляет меньше энергии с улучшенной производительностью более чем на 50% на ватт по сравнению с 980 PRO. Эта конструкция с низким энергопотреблением делает возможной максимальную производительность PCIe® 4.0 с оптимальной энергоэффективностью.Умное тепловое решение. Скорость выше жары. Контроллер с никелированным покрытием и передовой алгоритм терморегулирования управляют теплом для стабильной работы. Наклейка распределителя тепла контролирует тепло чипа NAND, а Dynamic Thermal Guard поддерживает оптимальную температуру.Создатель чемпионов.Лучший игровой опыт. Более чем на 55% улучшение случайной производительности обеспечивает более быструю загрузку для максимального игрового реализма в играх для PS5 и DirectStorage для ПК.Программное обеспечение Samsung Magician.Раскройте всю мощь 990 PRO. Удобный набор инструментов оптимизации программного обеспечения Samsung Magician всегда обеспечивает максимальную производительность SSD. Защищайте ценные данные, следите за состоянием диска и получайте важные обновления. Ваш личный набор инструментов для SSD.Флэш-память №1 в мире.Испытайте превосходную производительность и надежность, которые вы получаете только от бренда флэш-памяти № 1 в мире с 2003 года. Все компоненты и микропрограммы производятся собственными силами, включая всемирно известные модули памяти DRAM и NAND от Samsung, для интегрированного качества от начала до конца, которому вы можете доверять.

Технические данные

  • TBW твердотельного накопителя 600
  • Ёмкость накопителя 1000
  • Интерфейс PCIe 4.0 x4 (NVMe)
  • Кэш-память 1GB LPDDR4
  • Модель Samsung 990 PRO
  • Назначение Клиентские ПК
  • Объём DRAM буфера 1024
  • Скорость последовательного чтения 7450
  • Скорость последовательной записи 6900
  • Среднее число операций произвольного чтения в секунду (4 КБайт, 1200000
  • Среднее число операций произвольной записи в секунду (4 КБайт, Q 1550000
  • Средняя наработка на отказ 1500000
  • Тип памяти TLC
  • Форм-фактор M.2 2280
В наличии на складе: Ожидается поступление
16560.00р.
  • Ожидается поступление
  • Код товара: MZ-V9P1T0CW
  • ean: 8806094413748
  • Код ТН ВЭД: 8471709800
  • Идентификатор товара: 1000713783
  • Артикул: 1000713783

Отзывы (0)

Оставить отзыв

Внимание: теги HTML не поддерживаются!
Captcha